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FET - 阵列 (共24个产品)

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不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)
  • 28 mOhm @ 6A, 10V
  • 74mΩ @4.5V
  • 20 mOhm @ 7.4A, 10V
  • 30 mOhm @ 12A, 10V
  • 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • 45 mOhm @ 8.2A, 10V
  • 60 mOhm @ 3A, 10V
  • 60 mOhm @ 4A, 10V
  • 85 mOhm @ 3.05A, 10V
  • 100 mOhm @ 2A, 4.5V
  • 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • 480 mOhm @ 200mA, 5V
  • 900 mOhm @ 430mA, 4.5V
  • 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • 4.5 Ohm @ 100mA, 10V
  • 7.5 Ohm @ 100mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 250µA
  • 1V @ 250µA
  • -2.5V
  • 900mV @ 100µA
  • 900mV @ 250µA
  • 0.95V @ 250µA
  • 1.2V @ 250µA
  • 1.4V @ 250µA
  • 1.5V @ 250µA
  • 2V @ 250µA
  • 2.1V @ 250µA
  • 2.5V @ 250µA
功率 - 最大值
  • 2W
  • 1.25W
漏源极电压 (Vdss)
  • 30V
  • 20V
  • 40V
  • 50V
  • -30V
  • 60V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
  • 520pF
  • 36pF @ 25V
  • 37.1pF @ 10V
  • 48pF @ 10V
  • 83pF @ 10V
  • 175pF @ 16V
  • 390pF @ 15V
  • 400pF @ 20V
  • 472pF @ 15V
  • 501pF @ 15V
  • 531pF @ 10V
  • 604pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
  • 4.6nC
  • 0.35nC @ 5V
  • 0.44nC @ 4.5V
  • 0.5nC @ 4.5V
  • 0.68nC @ 4.5V
  • 4.34nC @ 4.5V
  • 6.2nC @ 4.5V
  • 9.8nC @ 10V
  • 10.1nC @ 4.5V
  • 10.5nC @ 10V
  • 10.8nC @ 10V
  • 12.9nC @ 10V
  • 16nC @ 10V
  • 24.2nC @ 10V
  • 25nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)
  • -5A
  • 1.03A, 700mA
  • 3.9A, 3.7A
  • 5.4A, 4A
  • 5.5A, 5.8A
  • 6.5A, 4.2A
  • 530mA
  • 5.8A
封装/外壳
  • 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • SOT-563, SOT-666
  • 6-WDFN Exposed Pad
系列
  • -
供应商器件封装
  • 6-TSSOP
  • 8-SOIC N
装配类型
  • Surface Mount
栅极电压 (±V)
  • 12
  • 8
  • 20
通用
  • General Purpose
ESD二极管
  • No
肖特基二极管
  • No
电流 - 连续漏极 (Id)(A)@70° C
  • -4
功率 (W)@70°C
  • 1.3
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=10V
  • 46
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=4.5V
  • 74
栅短路共源反向传输电容(pF)
  • 65
米勒电荷(nC)
  • 2.2
开通延迟时间(ns)
  • 7.5
关断延迟时间(ns)
  • 19
结构
  • Dual

DMN2005DLP4K-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BUK9K13-60EX

BUK9K13-60E/LFPAK56D/REEL 7" Q

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AOD609

MOSFET COMPL 40V 12A TO252-4

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DMP2066LSD-13

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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30V Complementary

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NTLJD3115PT1G

MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN

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BUK9M52-40EX

BUK9M52-40E/mLFPAK/REEL 7" Q1/

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30V Complementary

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ZXMC6A09DN8TA

31V to 100V Complementary

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MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

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NTLUD4C26NTAG

Power MOSFET 30V 8.7A 21 mOhm Dual N-Channel UDFN

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PMDT290UNE,115

MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666

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BUK9K25-40EX

BUK9K25-40E/LFPAK56D/REEL 7" Q

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AO6601

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP

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DMC4028SSD-13

40V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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NTMD4N03R2G

MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC

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PUMD9,135

NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ

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BUK7K35-60EX

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PMGD175XNEX

PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1

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NX3020NAKS,115

MOSFET N-CH 30V 180MA 6TSSOP

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DMC2400UV-7

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP2004VK-7

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS84AKS,115

MOSFET P-CH 50V 160MA 6TSSOP

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