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FET - 阵列 (共12个产品)

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不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)
  • 28 mOhm @ 6A, 10V
  • 20 mOhm @ 7.4A, 10V
  • 21 mOhm @ 7A, 10V
  • 30 mOhm @ 12A, 10V
  • 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • 45 mOhm @ 8.2A, 10V
  • 60 mOhm @ 3A, 10V
  • 480 mOhm @ 200mA, 5V
  • 900 mOhm @ 430mA, 4.5V
  • 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 250µA
  • 1V @ 250µA
  • 900mV @ 100µA
  • 900mV @ 250µA
  • 1.2V @ 250µA
  • 1.4V @ 250µA
  • 2V @ 250µA
  • 2.1V @ 250µA
功率 - 最大值
  • 1.25W
  • 2W
  • 350mW
  • 1.3W
  • 2.5W
  • 450mW
  • 1.15W
  • 1.2W
  • 400mW
漏源极电压 (Vdss)
  • 30V
  • 20V
  • 40V
  • 60V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
  • 37.1pF @ 10V
  • 175pF @ 16V
  • 390pF @ 15V
  • 472pF @ 15V
  • 501pF @ 15V
  • 604pF @ 20V
  • 650pF @ 20V
  • 767pF @ 10V
  • 820pF @ 15V
  • 1407pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
  • 0.5nC @ 4.5V
  • 4.34nC @ 4.5V
  • 9.8nC @ 10V
  • 10.1nC @ 4.5V
  • 10.5nC @ 10V
  • 10.8nC @ 10V
  • 12.9nC @ 10V
  • 16.1nC @ 10V
  • 24.2nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)
  • 1.03A, 700mA
  • 3.9A, 3.7A
  • 5.4A, 4A
  • 5.5A, 5.8A
  • 6.5A, 4.2A
  • 8.5A, 7A
  • 530mA
  • 5.8A
ESD二极管Y/N
  • N
  • Y
栅极电压 (±V)
  • 12
  • 8
封装/外壳
  • TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
系列
  • -

DMC4028SSD-13

40V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMC2400UV-7

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP2004VK-7

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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AO6601

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP

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DMC3028LSD-13

30V Complementary

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ZXMC6A09DN8TA

31V to 100V Complementary

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DMP2066LSD-13

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMC3025LSD-13

30V Complementary

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DMC3021LSD-13

30V Complementary

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DMN2005DLP4K-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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AOD609

MOSFET COMPL 40V 12A TO252-4

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NTLUD4C26NTAG

Power MOSFET 30V 8.7A 21 mOhm Dual N-Channel UDFN

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