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场效应晶体管

32 个产品

NTMFS4C020NT1G

Power MOSFET 30 V, 303 A, Single N Channel,

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TF414T5G

N-Channel JFET, 40V, 50 to 0.11mS, SOT-883

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NTMFS4C022NT1G

TRENCH 6 30V NCH

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NTTFS4C10NTAG

NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM

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NTP5860NG

Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G

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AFT05MP075NR1

TRANS RF 70W 12.5V TO270-4

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AFT20P140-4WNR3

TRANS RF 2GHZ 24W OM780-4

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MRF7S21150HSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF8S19140HSR3

Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V

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AFT27S010NT1

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

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NCV8408BDTRKG

Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit

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NTTFS4C08NTAG

NFET U8FL 30V 52A 5.9MOH

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NVMFS5C612NLAFT1G

NFET SO8FL 60V

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MD7P19130HSR3

MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4

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AFT05MS006NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V

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BUK7Y1R7-40HX

BL MOS Discretes

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MRFE6VP5600HR5

FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230

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AFT09S282NR3

TRANS RF PWR LDMOS OM-780-2

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MRF1535FNT1

N - CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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A2T07H310-24SR6

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V

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AFT05MS004NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

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AFT09MS015NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V

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NTMFS4H02NT1G

Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N?Channel FETky

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NVD5C434NT4G

Power MOSFET 40V, 163A, 2.2 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

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NTTFS4C06NTAG

Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL

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