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RF 场效应晶体管 (共81个产品)

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晶体管类型
  • LDMOS
  • LDMOS (Dual)
  • N-Channel
功率 - 输出
  • 1.5W
  • 1000W
  • 100W
  • 10W
  • 125W
  • 130W
  • 14W
  • 150W
  • 16W
  • 18W
  • 2.4W
  • 23W
  • 24W
  • 25W
  • 270W
  • 27W
  • 283W
  • 28W
  • 29W
  • 30W
  • 320W
  • 34W
  • 35W
  • 36W
  • 39W
  • 3W
  • 44W
  • 45W
  • 47W
  • 4W
  • 50W
  • 58W
  • 6.3W
  • 600W
  • 63W
  • 6W
  • 7.3W
  • 70W
  • 72W
  • 74W
  • 80W
电压 - 测试
  • -
  • 12.5V
  • 12.5VDC
  • 13.6V
  • 28V
  • 28VDC
  • 30V
  • 32V
  • 50V
  • 7.5V
电流 - 测试
  • -
  • 1.1A
  • 1.25A
  • 1.2A
  • 1.35A
  • 1.3A
  • 1.4A
  • 1.5A
  • 1.6A
  • 100mA
  • 10mA
  • 125mA
  • 132mA
  • 150mA
  • 1A
  • 280mA
  • 350mA
  • 400mA
  • 40mA
  • 450mA
  • 500mA
  • 50mA
  • 600mA
  • 700mA
  • 70mA
  • 750mA
  • 800mA
  • 850mA
  • 900mA
  • 90mA
  • 950mA
  • 970mA
电压 - 额定
  • 110V
  • 130V
  • 133V
  • 28V
  • 28VDC
  • 30VDC
  • 40V
  • 40VDC
  • 65V
  • 65VDC
  • 66V
  • 68V
  • 7.5V
  • 70V
  • 70VDC
额定电流
  • -
  • 10µA
  • 2.5mA
  • 2A
  • 3µA
  • 5mA
  • 6A
封装/外壳
  • 24-PowerQFN
  • NI-1230
  • NI-1230S
  • NI-780
  • NI-780-4
  • NI-780HS-4
  • NI-780S
  • NI-780S-6
  • NI-860C3
  • NI-880
  • NI-880S
  • NI-880XS
  • OM-780-2
  • OM780-4
  • PLD-1.5
  • PLD-1.5W-2
  • SOT-1110B
  • TO-270AA
  • TO-270AB
  • TO-272BA
  • TO-272BB
系列
  • *
  • -
噪声系数
  • -
供应商器件封装
  • NI-1230
  • NI-1230S
  • NI-780
  • NI-780HS-4
  • NI-780S
  • NI-860C3
  • NI-880
  • NI-880S
  • NI-880XS
  • NI1230S-8
  • OM-780-2
  • OM780-4
  • PLD-1.5
  • TO-270 WB-4
  • TO-270-2
  • TO-272 WB-4
匹配
  • I/O
  • Unmatched
电源电压
  • 28 V
  • 60V
测试信号
  • W-CDMA
效率 (Typ) (%)
  • 31.4
  • 38.1
  • 45.8
  • 51.6
最大供电电流
  • 129A
操作温度
  • -55°C ~ 175°C
功能
  • Power MOSFET

AFT09MS007NT1

High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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MRF7S21170HSR3

MOSFET N-CHAN 50W 28V NI-88OS

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MRF8S21140HSR3

FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S

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MRF8S9202NR3

MOSFET RF N-CH 58W OM780-2

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MRF8S19140HSR3

Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V

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MRF7S21150HSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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NTP5860NG

Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G

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NTMFS4C020NT1G

Power MOSFET 30 V, 303 A, Single N Channel,

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TF414T5G

N-Channel JFET, 40V, 50 to 0.11mS, SOT-883

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NTTFS4C10NTAG

NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM

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AFT09S200W02NR3

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V

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MRF8S18120HSR3

MOSFET RF N-CH 120W NI-780S

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MRFE6VP8600HR5

RF FET LDMOS DUAL NI-1230

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AFT05MP075NR1

TRANS RF 70W 12.5V TO270-4

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AFT20P140-4WNR3

TRANS RF 2GHZ 24W OM780-4

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AFT20S015NR1

TRANS RF 1.8-2.7G 15W TO270-2

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AFT27S006NT1

FET RF NCH 65V 2690MHZ PLD1.5W

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MRF7S19120NR1

MOSFET RF N-CH TO-270-4

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MRF8S7120NR3

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 728-768 MHz, 32 W Avg., 28 V

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NVMFS5C612NLAFT1G

NFET SO8FL 60V

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MRF6V3090NBR5

FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4

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MRF7S15100HR3

MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780

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MRF8S21100HSR3

MOSFET RF N-CH 28V 700MA NI780S

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MRF8S21120HR3

FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780H

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NGTB10N60FG

NCH IGBT 10A 600V TO220F3

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