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RF 场效应晶体管 (共32个产品)

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增益
  • 13.5dB
  • 14.6dB
  • 16.4dB
  • 16.7dB
  • 16dB
  • 17.2dB
  • 17.8dB
  • 18.3dB
  • 18.9dB
  • 19.1dB
  • 20.9dB
  • 20dB
  • 25dB
晶体管类型
  • LDMOS
  • LDMOS (Dual)
  • N-Channel
电压 - 测试
  • 12.5V
  • 12.5VDC
  • 28V
  • 28VDC
  • 50V
  • 7.5V
电流 - 测试
  • 1.1A
  • 1.25A
  • 1.35A
  • 1.4A
  • 1.5A
  • 100mA
  • 400mA
  • 450mA
  • 500mA
  • 90mA
电压 - 额定
  • 110V
  • 12.5V
  • 130V
  • 40V
  • 40VDC
  • 65V
  • 65VDC
  • 7.5V
  • 70VDC
额定电流
  • 10µA
  • 2.5mA
  • 3µA
  • 6A
封装/外壳
  • NI-1230
  • NI-780S
  • OM-780-2
  • OM780-4
  • TO-270AB
  • TO-272BA
匹配
  • I/O
  • Unmatched
电源电压
  • 28 V
  • 60V
效率 (Typ) (%)
  • 31.4
  • 45.8
  • 51.6
测试信号
  • W-CDMA
系列
  • *
  • -
噪声系数
  • -
供应商器件封装
  • NI-780S
  • OM-780-2
最大供电电流
  • 129A
Operating Temperature
  • -55°C ~ 175°C
功能
  • Power MOSFET

NTMFS4C020NT1G

Power MOSFET 30 V, 303 A, Single N Channel,

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100 5 2个工作日 ¥31.33 加入购物车

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TF414T5G

N-Channel JFET, 40V, 50 to 0.11mS, SOT-883

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NTMFS4C022NT1G

TRENCH 6 30V NCH

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NTTFS4C10NTAG

NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM

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NTP5860NG

Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G

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AFT05MP075NR1

TRANS RF 70W 12.5V TO270-4

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AFT20P140-4WNR3

TRANS RF 2GHZ 24W OM780-4

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MRF7S21150HSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF8S19140HSR3

Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V

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AFT27S010NT1

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

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NCV8408BDTRKG

Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit

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NTTFS4C08NTAG

NFET U8FL 30V 52A 5.9MOH

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NVMFS5C612NLAFT1G

NFET SO8FL 60V

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MD7P19130HSR3

MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4

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AFT05MS006NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V

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BUK7Y1R7-40HX

BL MOS Discretes

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MRFE6VP5600HR5

FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230

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AFT09S282NR3

TRANS RF PWR LDMOS OM-780-2

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MRF1535FNT1

N - CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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A2T07H310-24SR6

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V

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AFT05MS004NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

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AFT09MS015NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V

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NTMFS4H02NT1G

Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N?Channel FETky

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NVD5C434NT4G

Power MOSFET 40V, 163A, 2.2 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

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NTTFS4C06NTAG

Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL

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