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RF 场效应晶体管 (共22个产品)

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增益
  • 11.5dB
  • 13.5dB
  • 14.1dB
  • 14.5dB
  • 14.6dB
  • 14.8dB
  • 16dB
  • 17.3dB
  • 17.8dB
  • 18.9dB
  • 19.1dB
  • 25dB
  • 25.4dB
  • 25.9dB
  • 26dB
频率
  • 1.8MHz ~ 2GHz
  • 2.11GHz
  • 230MHz
  • 470MHz
  • 136MHz ~ 520MHz
  • 136MHz ~ 941MHz
  • 520MHz
  • 1.88GHz ~ 1.91GHz
  • 1.96GHz
  • 1.99GHz
  • 2496MHz ~ 2690MHz
电压 - 测试
  • 28V
  • 50V
  • 12.5V
  • 12.5VDC
  • 7.5V
  • 28VDC
电流 - 测试
  • 100mA
  • 10mA
  • 500mA
  • 1.1A
  • 400mA
  • 700mA
  • 800mA
  • 900mA
  • 1.35A
电压 - 额定
  • 65V
  • 133V
  • 40V
  • 130V
  • 68V
  • 65VDC
  • 30VDC
  • 40VDC
额定电流
  • 10µA
  • 1µA
  • 6A
  • 3µA
封装/外壳
  • NI-1230
  • NI-360
  • NI-780-4
  • PLD-1.5W-2
  • TO-270-2
  • TO-270AB
  • TO-272BA
电源电压
  • 28 V
  • 60V
匹配
  • I/O
  • Unmatched
匹配
  • I/O
  • Unmatched
效率 (Typ) (%)
  • 31.4
  • 45.8
  • 51.6
测试信号
  • W-CDMA
效率 (Typ) (%)
  • 31.4
  • 45.8
  • 51.6
最大供电电流
  • 129A
Operating Temperature
  • -55°C ~ 175°C
功能
  • Power MOSFET

MRF8S19140HSR3

Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V

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8 5 2个工作日 ¥680.01 加入购物车 免费申请

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AFT09MS007NT1

High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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MRF6S18100NBR1

MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2724

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MRF7S21150HSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRFE6VS25LR5

FET VHV6E 25W 50V NI360L

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AFT05MP075NR1

TRANS RF 70W 12.5V TO270-4

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NTP5860NG

Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G

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TF414T5G

N-Channel JFET, 40V, 50 to 0.11mS, SOT-883

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NTMFS4C022NT1G

TRENCH 6 30V NCH

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MRF7S21110HR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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NVMFS5C612NLAFT1G

NFET SO8FL 60V

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NCV8408BDTRKG

Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit

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MRFE6VP100HR5

TRANS RF H-CH FET LDMOS NI780

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MRFE6VP5600HR5

FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230

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AFV121KHR5

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V

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MRFE6VS25NR1

TRANS RF N-CH FET LDMOS TO270-2

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AFT26H250-24SR6

FET RF NCH 65V 2690MHZ NI1230S-4

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MRF1535FNT1

N - CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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MRF1570NT1

N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs

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MRF8P20160HSR3

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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A2T07H310-24SR6

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V

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NVD5C434NT4G

Power MOSFET 40V, 163A, 2.2 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

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