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RF 场效应晶体管 (共18个产品)

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频率
  • 136MHz ~ 941MHz
  • 1.8MHz ~ 2GHz
  • 520MHz
  • 2.11GHz
  • 230MHz
  • 470MHz
  • 860MHz
  • 1.88GHz ~ 1.91GHz
  • 1.96GHz
  • 1.99GHz
  • 2496MHz ~ 2690MHz
  • 7.2GHz ~ 9.60GHz
电压 - 额定
  • 65V
  • 40V
  • 130V
  • 133V
  • 7.5V
  • 12.5V
  • 68V
  • 30VDC
  • 70VDC
晶体管类型
  • LDMOS
  • LDMOS (Dual)
  • N-Channel
电压 - 测试
  • 28V
  • 50V
  • 12.5V
  • 7.5V
  • 13.6V
电流 - 测试
  • 100mA
  • 1.4A
  • 10mA
  • 500mA
  • 1.1A
  • 800mA
  • 900mA
  • 1.35A
封装/外壳
  • NI-1230
  • NI-360
  • NI-780-4
  • OM-780-2
  • PLD-1.5W-2
  • TO-270AA
  • TO-272BA
额定电流
  • 10µA
  • 1µA
  • 6A
匹配
  • I/O
  • Unmatched
效率 (Typ) (%)
  • 31.4
  • 45.8
  • 51.6
电源电压
  • 28 V
测试信号
  • W-CDMA
系列
  • -
噪声系数
  • -
供应商器件封装
  • OM-780-2

A2T26H160-24SR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V

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MRF7S21110HR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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MRF8P20160HSR3

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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MRF1570NT1

N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs

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A2T07H310-24SR6

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V

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AFT09MS015NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V

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AFT09S282NR3

TRANS RF PWR LDMOS OM-780-2

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MRF1535FNT1

N - CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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AFT05MS006NT1

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V

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MRFE6VP100HR5

TRANS RF H-CH FET LDMOS NI780

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MRFE6VP5600HR5

FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230

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MRF8S19140HSR3

Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V

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MRFE6VP8600HR5

RF FET LDMOS DUAL NI-1230

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MRFE6VS25LR5

FET VHV6E 25W 50V NI360L

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AFT05MS031NR1

RF FET 40V 520MHZ TO-270-2

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AFT09MS007NT1

High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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MRF6S18100NBR1

MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2724

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MRF7S21150HSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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