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阵列 (共44个产品)

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装配类型
  • Through Hole
  • Surface Mount
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
  • 100V
  • 45V
  • 150V
  • 60V
  • 40V
  • 70V
  • 200V
  • 300V
  • 90V
  • 75V
反向恢复时间 (trr)
  • 4ns
  • 35ns
  • -
  • 50ns
  • 5ns
  • 30ns
系列
  • -
  • SWITCHMODE™
  • MBR2045CT
  • SBR10U100CT
速度
  • Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
封装/外壳
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • TO-220-3 Full Pack
  • TO-220-3
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 500nA @ 80V
  • 5µA @ 100V
  • 10µA @ 70V
  • 45µA @ 150V
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)
  • 1.25V @ 150mA
  • 850mV @ 5A
  • 975mV @ 8A
  • 1V @ 15mA
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
  • 215mA (DC)
  • 70mA (DC)
  • 5A
  • 8A
配置
  • Dual
  • Dual, Com. Cath
  • Single
供应商器件封装
  • TO-220AB
  • TO220AB
  • TO-220FP
热阻
  • 2.5°C/W Jc
  • 3°C/W Jc
  • 500°C/W Ja
额定功率 (mW)
  • 150
  • 200
@ V R (V)
  • 100
  • 45
@ I F (A)
  • 10
包装
  • Tube
最大峰值反向电流 IR(μA)
  • 100
  • 200
最大峰值反向电流 IR(μA)
  • 100
  • 200
不同 If 时的电压 * 正向 (Vf)
  • 670mV @ 5A
  • 840mV @ 20A
不同 If 时的电压 * 正向 (Vf)
  • 670mV @ 5A
  • 840mV @ 20A
不同 Vr 时的电流 * 反向漏电流
  • 100µA @ 45V
  • 200µA @ 100V
不同 Vr 时的电流 * 反向漏电流
  • 100µA @ 45V
  • 200µA @ 100V
电流-平均整流 (Io)(每二极管)
  • 5A
  • 20A
电流-平均整流 (Io)(每二极管)
  • 5A
  • 20A
最大正向平均电流 I O(A)
  • 10
  • 20
最大正向平均电流 I O(A)
  • 10
  • 20
@ 末端温度 TT(ºC)
  • 135
反向重复峰值电压V RRM(V)
  • 100
  • 45
反向重复峰值电压V RRM(V)
  • 100
  • 45
正向浪涌电流 I FSM (A)
  • 150
  • 180
正向浪涌电流 I FSM (A)
  • 150
  • 180

BAV756DW-7-F

SCHOTTKY BARRIER DIODE

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MBRF10H150CTG

DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220FP

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MUR1610CTG

DIODE ARRAY 100V 8A TO220AB

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SBG3045CT-T-F

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SBR4060CTFP

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SBR60A200CT

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SBR10U100CT

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MBR1060CT

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SBG3040CT-T-F

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SBR10150CTFP

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SBR10U100CT-G

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SBR2045CT

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SBR20U40CT

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SBR30A45CT

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