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阵列﹐预偏压式 (共1个产品)

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电压 - 集射极击穿(最大值):
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
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电流 - 集电极截止(最大值)
  • 500nA
频率 - 跃迁
  • 250MHz, 200MHz
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
  • 100 @ 1mA, 5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
  • 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)
  • 100, 10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)
  • 10k
供应商器件封装
  • SOT-363
功率 - 最大值
  • 200mW

MIMD10A-7-F

Pre-Bias Transistors

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