高通发表Quick Charge 3.0快充技术
高通(Qualcomm)稍早前在2015 Qualcomm 3G/LTE高峰会中，除发表了Snapdragon 430、Snapdragon 617处理器外，也宣布新一代快充技术─Quick Charge 3.0，以及支援的处理器晶片。搭载高通最新快充技术的处理器晶片的终端设备，预料将会在明年初上市，届时入手新手机的朋友，就将能享有更便利的行动生活。
据高通的说法，Quick Charge 3.0，首度采用Intelligent Negotiation for Optimum Voltage(INOV)演算法，不仅能在任意时刻实现最佳传输功率，且将效率最大化。使用Quick Charge 3.0的设备，大约能在35分钟之内，将手机电量从0充电到80%，而不具备这项技术的设备，大约需要一个半小时，对于有时会忘记充电，或是非常忙碌、需要快速充电功能的使用者来说，将会是一大福音。
Quick Charge 2.0提供了5V、9V、12V、20V四种充电电压，而Quick Charge 3.0则是以200mV为单位，提供从3.6V到20V电压的选项，使用上更为灵活。能让充电的手机获得恰到好处的电压，并达到预期充电电流，提高充电效率，并改善散热上的表现。
Quick Charge 3.0相较于先前版本来看，充电速度是Quick Charge 1.0版的2倍；相较于Quick Charge 2.0，充电速度最快提高27%、或最高可减少功耗达45%。Quick Charge可相容之前的版本以及充电器。
根据高通的说明，首批支援Quick Charge 3.0技术的晶片包含Snapdragon 820、620、618、617以及430。采用这些晶片的手机，最快预计将在明年初推出。