AOS发布最低内阻MOSFET：AON6250
万国半导体（AOS）发布了旗下最新150V MOSFET器件：AON6250.该器件作为AOS AlphaMOS （αMOS）中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC /DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。
采用先进的AlphaMOS技术，AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比，内阻降低了57%；与市场上现有最先进的同类型150V器件相比，内阻降低了8%，除此之外， AON6250的优值（RDS（ON）*COSS）也是市场上最好的，从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装，符合绿色环保产品相关规定，且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后，万国半导体（AOS）将发布一系列150V MOSFET产品。
"终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间，这让电源设计工程们面临严峻考验"，AOS高级产品经理Stephen表示，"实现其功率密度，需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能，AON6250正好可以满足工程师的需求。"
AON6250 技术优势：
150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package
RDS（ON） 《 16.5 mOhms max at VGS = 10V （业内最低内阻）
COSS = 213 pF typ
Qg （10V） = 30.5 nC typ
业内最低 RDS（ON）*COSS （优值， 可以有效降低开关损耗）
100%经过栅极电阻以及UIS雪崩能力测试